精密铸造真空烧结真空镀膜CVD实验金属热处理电炉

MXGH1200-PECVD型等离子增强化学气相沉积系统
产品简介：此款设备配有Plasma实现等离子增强，滑轨式设计在操作时可将实验需要的恒定高温直接推到样品处，使样品能得到一个快速的升温速度，同样也可将高温的管式炉直接推离样品处，使样品直接暴露在室温环境下，得到快速的降温速率。并可选配气氛微调装置，可准确的控制反应腔体内部的气体压力，带刻度的调节阀对于做低压CVD非常简单实用，工艺重复性好，对于石墨烯生长工艺非常合适，也同样适用于要求快速升降温的CVD实验。
主要功能和特点：

1、利用辉光放电产生等离子体电子激活气相；
2、提高了气相反应的沉积速率、成膜质量；
3、可通过调整射频电源频率来控制沉积速率；
4、能广泛用于：石墨烯、SiOx、SiNx、CNx、TiCxNy等薄膜的生长。


滑轨管式炉技术参数



石英管尺寸 L1400mm Φ（60、80、100）
加热元件 掺钼铁铬铝合金电阻丝
测温元件 K型热电偶
加热区长度 400mm
恒温区长度 200mm
工作温度 ≤1100℃
控温模式 模糊PID控制和自整定调节，智能化30段可编程控制，具有超温和断偶报警功能
控温精度 ±1℃
升温速率 ≤20℃/min
电功率 AC220V/50HZ/3KW
质量供气系统技术参数




外形尺寸 600x600x600mm
标准量程 50sccm（CH4）、200sccm（H2）、500sccm（Ar、N2）；
压力表测量范围 -0.1Mpa～0.15Mpa
极限压力 3MPa
针阀 316不锈钢
截止阀 Φ6mm 316不锈钢针阀
电功率 AC220V/50HZ/20W
响应时间 气特性：1～4 Sec，电特性：10 Sec
准确度 ±1.5%
线性 ±0.5～1.5%
重复精度 ±0.2%
接口 Φ6,1/4'
真空系统技术参数