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福建太阳能路灯

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确认一家光电照明公司公司是否具有一定的规模,的话先要确认它是否有自己的生产场地,江苏斯美尔光电科技公司厂房面积40000平,接着就是他道路资质方面的,一般来讲是否有道路工程资质,以及几级的道路照明工程几级资质。江苏斯美尔光电拥有LED路灯,以及太阳能路灯施工的三级施工资质。再有就是口碑了。这个更不用讲,江苏斯美尔光电13年的营业运营时间,普通市面上的小公司什么的,真的是比不了。

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国外硅晶片大厂原本的生产重心是生产半导体级的硅晶片,但随着太阳能光电产业的蓬展,也在过去几年内把一些产能移到太阳能电池领域上。在2007年缺料严重的时期,生产太阳能电池用的单晶硅片的利润甚至远生产半导体级单晶硅片。然而随着多晶硅原料的不再短缺,单晶硅片的使用热潮就略为消退。预计全球太阳能硅晶圆产能(单晶及多晶的总和)在2011年可以达到35.8GW,而年增长率比太阳能电池产能的幅度来得小,这可能与硅晶圆扩产的资本支出远比太阳能电池厂高有关。例如,扩充1MW硅晶圆的产能需花费40?50万美元,但扩充1MW太阳能电池的产能只需25~30万美元。所以在产能相对较小的情况下,硅晶圆仍是太阳能产业发展的瓶颈之一。如何生产成本,一直是太阳能电池产业所面临的大挑战。由于CZ单晶硅片的生产成本较高,因此太阳能电池从业者寻求价格较低廉的多晶硅片来作为原料基板。多晶硅片一般是将熔融的硅铸造固化而成,因为其制作工艺简单且高产出率,具有成本较低的优势,所以多晶硅片成为全球太阳能电池市场占有率高(超过50%)的主流。影响多晶硅太阳能电池效率的因素,除了多晶硅片中会引起载子再结合的杂质外,还有多晶硅片内部的晶界及位错。因此在铸造多晶硅锭的中,除了铸造速率的外,微缺陷的控制也是重要的考虑因素。目前,借着对凝固现象理论的了解,以及利用计算机对整个生产的模拟设计,设计出温度场分布佳化的铸造炉子,可使得多晶硅锭里的微缺陷及铸造速率均达到佳化。因此,目前商业化的铸造炉子,已经可以生产出高的300kg的多晶硅锭了。多晶硅太阳能电池,由于其具有多晶特性,在切片和加工的技术上,比单晶硅和非晶硅更具困难性,且其能量转换效率也比单晶硅太阳能电池低。不过,基于其简单的制作工艺和低廉的成本,在部分低功率的电力应用中,还是大量采用这种类型的多晶硅太阳能电池。铸造多晶硅锭的另一个优点是它可以铸造出四面体形的硅锭,不像圆柱形的CZ硅单晶棒要先把外径磨成四面体,这使得材料的损耗比较小。但在切片的中,还是会相当程度的材料损失(切损),为了解决这方面的问题,已有人研发出生产多晶硅薄板的技术。以下小节将分别介绍生产多晶桂片的技术。利用铸造技术来制造多晶硅锭起源于1975年的德国瓦克(Wacker)公司,它是采用浇铸法来制备太阳能电池用的多晶硅锭(SILSO)。后来也有研究者采用了其他的铸造技术。例如,美国晶体公司采用了热交换法(HEM),Solarex公司釆用了结晶法等。铸造多晶硅锭一般是采用定向凝固的,这样才不会长出杂乱无序的晶粒,经过定向凝固的控制,则可以长出宽度约数毫米到数厘米的柱状排列晶粒。

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序号

品名

规格参数

1

太阳能组件

斯美尔牌太阳能组件,单晶

18.5V120W一块,转换率17%以上寿命25年以上

2

太阳能路灯锂电池

斯美尔牌太阳能锂电池12V60AH一块,本公司专利产品,寿命8-10

3

太阳能控制器

斯美尔牌升压恒流一体控制器12V   10A,壹只,工业级芯片,自主专利软件程序及开发系统,具有光控+时控+恒流,三时段功率可调,可设置晨亮,效率96%,全防水设计,支持自动降功率,设计寿命8

4

风机

6叶风机,额定功率300W,转速10M/S

5

LED光源

斯美尔牌LEDDC12V30W,大功率1W/粒,140LM/W寿命70000小时以上 普瑞45*45双芯片,高光效。

6

灯杆

口径:上口70+下口135,厚度3.0,法兰260*260*12  Q235钢材,一次性成型锥度杆,自动埋弧焊接技术,热镀锌喷塑处理,经盐雾模拟海边的使用条件,耐腐蚀性强,使用寿命30年(含太阳能板支架不含地笼)

2400元(税前价不含运费)

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太阳能路灯中,硅晶片的生命周期则主要受到金属杂质的影响,金属杂质含量越高,生命周期越短,能量转换效率也就越低。除了起始基板本身所存在的金属杂质外,太阳能电池的高温制作工艺也有可能引人不必要的金属污染源。除了在制作工艺中严格污染的概率外,在硅晶片上还可以通过导人去瑕疵的技术,来金属杂质对生命周期的影响。此外,钝化处理也是能量转换效率的有效之一。常用的硅晶基板是P型掺杂的,也就是添加硼掺杂物的。当然N型硅太阳能电池新技术,晶也可以用来当基板,只是现有的太阳能电池技术大多是依据P型硅晶而设计的。使用电阻率较低的硅晶基板,会太阳能电池的串电阻从而能量的损耗。而目前工业界常用的硅晶基板的电阻率为〇_5~30Q_cm。硅晶基板的厚度也会影响到太阳能电池的效率,图6.3表示硅薄板的太阳能电池的效率相对于厚度的关系。以一个扩散长度Ud)20{Vm的太阳能电池来说,大的效率出现在80Mm左右,但对于扩散长度为100Mm的太阳能电池而言,大的效率则出现在5(^in左右。目前工业界所使用的硅晶基板的厚度为200~25(^m,研发更薄的硅晶太阳能电池势必是未来的发展趋势,这不仅可以太阳能电池的效率,也可以达到成本的要求。表面粗糙结构化,由于硅具有很高的反射系数,它对太阳光的反射程度在长波长区域(大约llOOnm)可以高达54%,在短波长区域(大约400nm)可以达到34%。因此,将硅晶基板表面进行粗糙结构化处理的目的,在于太阳光自表面反射损失的概率,进而电池的效率。所谓粗糙化处理,是将电池的表面蚀刻成金字塔状或角锥状,这样的处理可使得太阳入射光至少要经过两次以上的表面反射,因此大幅度了直接自表面反射损失掉的太阳光的比例。

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