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第三代半导体材料主要包括氮化镓(Gallium Nitride，GaN)、碳化硅(Silicon Carbide， SiC)、氧化锌(Zinc Oxide， ZnO)、氮化铝(Aluminum Nitride， AlN)和金刚石等宽禁带半导体材料。与硅(Silicon， Si)、GaAs等半导体材料相比，第三代半导体材料禁带宽度大，具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高等性质。其中氮化物材料是第三代半导体材料中引人瞩目的材料，尤其是GaN(氮化镓)基光电子器件在白光照明领域非常成功。二是坚固，LED比石英玻璃外壳的汞灯耐冲击，不易发生破损。三是能源，与汞灯相比，紫外光LED能量消耗多可以低70%。四是环保，紫外LED不含有害物质汞，通过ROHS认证。五是工作电压低，紫外LED工作电压仅3-5伏左右，和高压汞灯相比，既提高了安全性，也降低了驱动电路成本。六是功率更易调节。
同时，与传统紫外光源汞蒸汽灯、准分子激光器相比，固态紫外光源具有小巧便携、绿色环保、波长易调谐、电压低、功耗小、可集成等诸多优点，随着技术的不断进步，必将成为未来紫外光源的主流。在信息光存储中，数据密度由读写的光源波长决定。深紫外LED 是理想的新一代光源，市场潜力，同时对智能制造和提升人民生活品质也将起到重要作用。福建回收液晶屏公司福州泉州收购手机液晶显示屏

“十二五”承担国家 863 课题“深紫外 LED 外延生长及应用技术研究”，成果经组鉴定达到国内、国际水平。目前承担 863 课题“高铝组分氮化物材料制备技术研究”，国内实现室温近紫外 377nm 和深紫外 288nm 半导体激光器光泵浦激射。

然而蓝光LED(发光二极管)的技术专利受制于欧美日等从事该行业较早的国家。因此处于发展初期的基于AlGaN(铝镓氮)材料的紫外LED成为突破专利垄断的佳领域。另外，紫外LED也是目前氮化物技术发展和第三代材料技术发展的主要趋势，拥有广阔的应用前景。

深紫外激光二极管由于极短的波长，相比于基于蓝光激光器的蓝光存储(blue-ray)技术，有望可将信息容量提升数十倍。在生化分析中，大多数生物分子含有的化学键在紫外光波段(270-350nm )有很强的光学共振，小型的紫外光源可以为生物探测和光电子学之间提供桥梁，使生物光子学的应用成为可能，例如基于荧光的bioagent识别等;光学检测也是研究蛋白质结构极为有效的方法，光学激发色氨酸和酪氨酸这两种极为重要的氨基酸需要275 nm 紫外光源。福建回收液晶屏公司福州泉州收购手机液晶显示屏
目前全球紫外光源市场规模约为4亿2700万美元，不过传统紫外汞灯仍然占据市场主导地位。和汞灯相比，近年发展迅速的紫外光LED光源，被公认具有8大优势。一是体积小，在便携式、高集成度产品方面有潜力。手机ic回收：http://jonywang.51sole.com/ 电池回收：http://dianchihuishou.xunshou.com/ 回收ic：http://.xunshou.com/ 电子回收：http://huishouic.xunshou.com/ 电池回收http://dianchihuishou.51sole.com/ 内存条回收http://guiqinwang.51sole.com/。

七是散热系统要求低，进一步降低系统成本。八是光学系统简单，更符合实际应用需要，紫外LED不需要外加透镜就能得到紧凑的光束角和均匀的光束图，从而降低成本，增强系统可靠性。正因为这些优势，紫外LED技术正在成为固态紫外光源行业吸引力的选择方案。福建回收液晶屏公司福州泉州收购手机液晶显示屏
中科院半导体所是国内早开展氮化物材料研究的单位之一，承担并出色完成了多项国家重大研究任务。项目负责人“十一五”期间承担国家 863 探索类课题“紫外 LED 用AlGaN材料生长研究”，实现了国内波长短于 300nm 的深紫外 LED 器件毫瓦级光功率输出，研究成果成为“十一五”863 计划新材料领域研究亮点，并获得“十一五”二期国家专项的进一步支持，承担 863 课题“深紫外 LED 制备和应用技术研究”，在基于AlN模板的 MOCVD 外延技术等方面取得了一系列成果，将深紫外 LED 性能提升近一倍。

为了加快国内第三代半导体固态紫外光源的发展，国家科技部实施了研发计划专项，开展第三代半导体固态紫外光源材料及器件关键技术的研究工作。该项目由中国科学院半导体研究所牵头，集结了国内第三代半导体固态紫外光源领域的优势研究院所、高校及和应用企业，集中技术力量对固态紫外光源进行技术攻关，以期在5-10年内追赶国际水平，同时尽快实现第三代半导体固态紫外光源的市场化应用，以市场促发展，带动国内第三代半导体固态紫外光源相关产业的发展。

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