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根据DRAMeXchange的研究，紧随着3D NAND生产商如三星和镁光的脚步，大多数NAND供应商将会在2017下半年开始大量生产64层3D NAND芯片。
今年早些时候，西数和其搭档东芝共同推出了一个64层NAND产品，该产品的行业密集度为每个闪存单元存储三位数据。
3D NAND闪存芯片基于垂直叠加或3D技术，西数和东芝称之为BiCS(Bit Cost Scaling)。西数目前已经发布了基于64层NAND闪存技术的款512Gb 3D NAND芯片试点产品。
报告中指出，西数的64层产品样本将会在五月底推出，而大规模产品将早会在今年下半年推出。
对于企业来说，3D NAND产品的增长将意味着会有更便宜的非易失性存储，可以应用在数据中心和工作站中。驻马店回收手机配件公司南阳信阳收购手机配件零件DRAMeXchange表明，即便有了3D NAND的增长，但NAND闪存的供应预计仍然会保持紧张，由于苹果正在为发布下一代iPhone备货中，其组件以及SSD的需求仍保持稳定。
DRAMeXchange还指出，3D NAND如今构成了三星和镁光各自一半以上的NAND闪存输出量。SK Hynix同样准备发布72层NAND芯片。为了成为行业的厂商，SK Hynix将会在下半年开始大量生产72层芯片。
三星仍然是3D NAND技术领域的领跑者，DRAMeXchange表示。该公司的48层芯片被广泛地应用在企业级和消费级SSD中，包括移动NAND产品。
镁光在三星之后，是第二大的3D NAND供应商，同样在其总NAND闪存输出量中占有50%以上的技术账单。镁光目前的主要收益来自于主要存储模块制造商对32层芯片的需求，而且其自身品牌的SSD发货量也很可观。驻马店回收手机配件公司南阳信阳收购手机配件零件

三星10纳米工艺技术公告：的三星电子的半导体元器件技术正式宣布，其第二代10纳米(nm)FinFET工艺技术，10LPP(Low Power Plus)已经合格并准备就绪用于批量生产。随着3D FinFET结构的进一步增强，与具有相同面积缩放的代10LPE(低功耗早期)工艺相比，10LPP允许高达10%的性能或15%的功耗。去年10月，三星半导体是业界率先在10LPE上开始批量生产片上系统(SoC)产品的行业。新的Galaxy S8 Android智能手机由其中一些半导体元件提供支持。
为了满足广泛客户对10nm工艺的长期需求，三星半导体已经开始在韩国华城新的S3线安装生产设备。新的生产线预计将在2017年第四季度投产。
三星电子公司铸造营销副总裁李妍表示：“凭借我们10LPE的成功经验，我们已经开始生产10LPP，以保持我们在节点铸造市场的地位。
“10LPP将是智能手机，移动计算和网络应用的关键流程产品之一，而三星半导体将继续提供的逻辑处理技术。”Lee补充说。

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