IPP16CN10NG和IHW15N120R3和FDS6930B晶体管

深圳市明佳达电子公司现货供应 IPP16CN10NG 和 IHW15N120R3 和 FDS6930B 晶体管 全新 质量 价格实在 原装 欢迎广大新老顾客朋友来电咨询或订购


IPP16CN10NG ：
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 53A（Tc）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（大值） 4V @ 61µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（大值） 48nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（大值） 3220pF @ 50V
Vgs（大值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（大值） 100W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（大值） 16.5 毫欧 @ 53A，10V
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 PG-TO-220-3
封装/外壳 TO-220-3



IHW15N120R3 ：
IGBT 类型 沟道
电压 - 集射极击穿（大值） 1200V
电流 - 集电极（Ic）（大值） 30A
脉冲电流 - 集电极 (Icm) 45A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 1.7V @ 15V，15A
功率 - 大值 254W
开关能量 700µJ（关）
输入类型 标准
栅极电荷 165nC
25°C 时 Td（开/关）值 -/300ns
测试条件 600V，15A，14.6 欧姆，15V
工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商器件封装 PG-TO247-3



FDS6930B ：
FET 类型 2 个 N 沟道（双）
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.5A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（大值） 38 毫欧 @ 5.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（大值） 3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（大值） 3.8nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（大值） 412pF @ 15V
功率 - 大值 900mW
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装 8-SO



公司还长期供应以下型号：
R5S72690RW266FP
HCTL-2001-A00
APDS-9801
ADC08B200CIVS
HDSP-2131
STA515W13TR
SN65HVDA1040AQDRQ1
TJA1042TK
SN74CBT16210CDLR
IPP16CN10NG
IHW15N120R3
MB90F462AP
FDS6930B


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