实销产品MT49H32M18CBM-18存储器

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规格参数：
存储器类型易失
存储器格式 DRAM
技术 DRAM
存储容量 576Mb （32M x 18）
时钟频率 533MHz
写周期时间 - 字，页 -
访问时间 15ns
存储器接口 并联
电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V
工作温度0°C ~ 95°C（TC）
安装类型 表面贴转
封装/外壳 144-TFBGA
供应商器件封装144-µBGA（18.5x11）

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