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商品详情产品参数

产品种类: MOSFET  
制造商: Comchip Technology  
RoHS:  详细信息  
技术: Si  
安装风格: SMD/SMT  
封装 / 箱体: SOT-23-3  
通道数量: 1 Channel  
晶体管极性: N-Channel  
Vds-漏源极击穿电压: 60 V  
Id-连续漏极电流: 115 mA  
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V  
Vgs - 栅极-源极电压: 60 V  
Qg-栅极电荷: -  
小工作温度: - 55 C  
大工作温度: + 150 C  
配置: Single  
通道模式: Enhancement  
封装: Cut Tape  
封装: Reel  
商标: Comchip Technology  
下降时间: 20 ns  
正向跨导 - 小值: 300 mS  
Pd-功率耗散: 0.36 W  
上升时间: 20 ns  
系列: 2N7002  
工厂包装数量: 3000  
单位重量: 112 mg

名称UTC 2N7002-G
价格面议
地区上海
联系周小姐
关键词2N7002-G,分立半导体,MOSFET
规格其它
产品认证CQC
频率范围47-63HZ
输出电流1.12A
输出电压36v
输出功率40w
输入电压220v

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