TPS2051BQDRQ1,TI汽车级芯片
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面议
TI德州仪器电池管理电池保护器
部分型号主要参数特性:
BQ77207 3 系列至 7 系列锂离子电池、内部延迟计时器、电压和温度保护器
BQ77216 具有内部延迟计时器、适用于 3 节至 16 节串联锂离子电池的电压和温度保护器
BQ77915 具有电池自主平衡功能的 3 节至 5 节串联可堆叠低功耗初级保护器
BQ2980 适用于单节锂离子和锂聚合物电池的高侧保护器
BQ294533 适用于 2 节和 3 节锂离子电池的过压保护
BQ77904 3-4S 低功耗保护器
BQ2962 适用于 2 节、3 节和 4 节串联锂离子电池的过压保护
TI德州仪器监控器和复位 IC部分型号特性:
TPS3808-Q1 汽车类低静态电流可编程延迟监控器
TPS3619-33-EP 适用于 RAM 保持模式的增强型产品电池备份监控器
TPS3106-EP 增强型产品低电源电流/电源电压监控电路
TPS3809-EP 增强型产品 3 引脚电源电压监控器
TPS3620-33-EP 适用于 RAM 保持模式的增强型产品电池备份监控器
TPS3836-EP 增强型产品毫微功耗监控电路
TPS3813K33-EP 增强型产品,具有视窗看门狗的处理器监控电路
TPS3837K33-EP 增强型产品纳瓦级功耗监控电路
TPS3807A30 低静态电流、双通道监控器
TI德州仪器MOSFET管更多型号请联系业务咨询:
CSD18532Q5BT
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.2mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD88584Q5DC - 采用 5mm x 6mm SON 封装的 50A、40V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET Dual-Cool™ 电源块
CSD88599Q5DC - 采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、60V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET Dual-Cool™ 电源块
CSD87313DMS - 采用 3mm x 3mm SON 封装的双路共漏极、5.5mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD18510Q5B - 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、0.96mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD18510KCS - 采用 TO-220 封装的单路、1.7mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET