半桥驱动芯片TM2101S

详细说明
TM2101S是一个高电压、快速的功率MOS和IGBT驱动器，具有和低端两个通道。逻辑输入端可以匹配标准的CMOS和LSTTL输出端口。浮地通道可以直接驱动工作电压达到600V的N型MOS管和IGBT。
产品特性
• VS引脚允许浮动的电压高达+600V，适用于自举升压操作
• 栅极驱动器的电压范围宽（10V~17V）
• 欠压锁定功能
• 输入兼容3.3V、5V CMOS逻辑电平
• 所有输入引脚都有CMOS施密特触发器，提高抗噪声能力
• 输出相位与HIN同相
• 低端输出相位与LIN同相
• 内置逻辑保护
• 内置死区时间
• 拉电流能力为130mA
• 灌电流能力为270mA