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富士IGBT模块通过几个关键特性实现了这些优势:

‌低损耗‌:通过优化IGBT元件以及二极管元件的厚度,实现了小型化,从而优化了元件结构。这降低了变频器运行时的电力损耗,与以往产品相比,变频器损耗降低了10%,芯片温度降低了11℃。

小型化‌:利用新开发的绝缘板,提高了模块的散热性能,实现了与以往制品相比约36%的减小,实现了小型化。
‌高温操作‌:通过对高可靠性高耐热封装和芯片进行优化,实现了175℃连续动作,与过去产品相比可进一步提高35%的输出。

富士IGBT模块的产品系列包括分立IGBT、IGBT模块斩波器、IGBT 2-Pack、IGBT模块6-Pack以及PIM(Power Integrated Module),这些产品根据具体应用场景的不同需求,提供了多样化的解决方案。例如,2-Pack内置有半桥电路,适用于UPS、通用变频器、电力铁路、大型太阳能发电等;而6-Pack则是将3相变频器电路集成到1个模块上,便于紧凑地设计主电路。此外,富士还提供了支持T/I型2种3电平电路的IGBT模块,特别适用于太阳能发电、不间断电源装置等用途,通过采用富士特有的RB-IGBT芯片实现低损耗和率。


富士IGBT模块的设计和制造过程中,采用了DCB(Direct Copper Bonding)基板,以及通过优化IGBT和FWD芯片的配置,实现了有效的热分散和均衡的电流分配,从而提高了产品的可靠性和效率。此外,富士IGBT模块的端子连接方式包括钎焊和无焊两种,满足了不同的应用需求,同时也提供了主端子排列不同的产品,进一步增加了产品的适用性

综上所述,富士IGBT模块以其、高可靠性和多样化的产品系列,满足了广泛的应用需求,是电力电子领域中的重要组件‌。


富士igbt功率模块
富士IGBT功率模块是一种的结构,可以满足多种应用场合。它采用具有可靠性的高强度的IGBT三极管来制造,能够提供大的负载功率,从而满足系统设计和应用的要求富士IGBT功率模块在负载管理和功耗控制方面表现出色,并且可以使用削尖的固体介质以及低电压,率控制隔离,这些特点使其在工业应用中表现出优势。

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