浙江DTS德国DTS替代DTS系统

众所周知，在单管封装中，影响器件Rth(j-c)热阻的主要是芯片、焊料和基板。SiC芯片材料的导热率为370W/(m.K)，远IGBT的Si(124W/(m.K))，甚至超过金属铝(220W/(m.K))，与Lead Frame的铜(390 W/(m.K))非常接近。而一般焊料的导热率才60 W/(m.K)左右，典型厚度在50-100um，所占整个器件内部Rth(j-c)热阻之权重，是不言而喻的。

目前，客户存的大痛点是键合时良率低，善仁新材推出的DTS预烧结焊片优势是：提高芯片的通流能力和功率循环能力，保护芯片以实现高良率的铜线键合。

GVF预烧结银焊片（DTS+TCB（Die Top System +Thick Cu Bonding）的使用方法为：Pick & Place；