碳化硅烧结银碳化硅烧结银

烧结银可以解决现有存在的五个难题
总所周知，不论是碳化硅模块还是硅IGBT，电力电子发展总体目标是提高功率（电流，电压）——降低半导体控制和开关时损耗——扩展工作温度的范围——提高使用寿命，稳定性和可靠性——在降低失误率的同时简化控制和保护电路到后的降低成本。

目前，银烧结技术成为国内外第三代半导体封装技术中应用为广泛的技术，美国、日本等碳化硅模块生产企业均采用此技术。

在银烧结技术中，为了防止氧化和提高氧化层的可靠性，需要在基板裸铜表面先镀镍再镀金或镀银，同时烧结温度控制和压力控制也是影响功率模组质量的关键因素。