分立半导体产品STW20NM60FDN沟道场效应管

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规格参数值：
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss） 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（大值） 290 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（大值） 5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） 37nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss） 1300pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（大值） 214W（Tc）
工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商器件封装 TO-247-3

公司还出售以下型号：
EM6GE16EWXD-12H
MP3391EF
MP2380DN
KXOB22-04X3
ADL5317ACPZ
ISL80113IRAJZ
LM1875T
PIC18F26K20T-I/ML
MP1493DS
MAX3221EEUE
NB634EL
LT1963EQ-2.5
S80C196KB-16
NCP1631DR2G
VIPER16HDTR
RT8290GSP
LM2841YQMK
ADF4112BRUZ
FA5570N
MP3213DH
IGCM20F60GA
IRFP4332PBF
STW20NM60FD
LC5256MV-75FN256C
FAN5405UCX
EPM7032TC44-15
ADR430ARZ
MAX9722BETE
DAC7554IDGSR
IRU1150CSTRPBF
EM357-RTR
MAX9259GCB
MAX9260GCB
NE5534DR
LM3642TLX
MAX97220AETE
OPA2835IRUNR
SE2597L
AD5554BRSZ
SN74LVC14APWR
PEX8604-BA50BIG
RK3368
R5F36B3EDNP
TAS1020BPFB
ALM-1712
STM32L471RGT6
AT32UC3B0512AU-Z2UR
FM24CL16B-DG
S5K5CA
SOC5140
XC3S4000-4FGG676I
EPM7192SQC160-15
XC17S200APD8C
LTC486ISW
LTC491IS
LT1933ES6
LT1025ACN8
NCP6151S52MNR2G
ISL6264CRZ
CSD87352Q5D
ST3DV520EQTR
2SC6097
2SA2126
SFH5440
88EM8183B2
UCC5630AMWPTR
CY8C20247-24LKXIT
LM5000SD-3
LMH6738MQX
UPG2413T6Z
RF7196TR13
RF7176DTR13
RTL8105E
HEDS-9700
HCPL-4506-000E
M30624FGAFP
EP2SGX125GF1508C4N
FSB50250AS
MAX2552ETN
TMP86P808NG
TPD4103K
TPD4103AK
TPD4111K
TPD4104K
TPD4124AK
BCM20741A2KMLG
BSZ035N03MSG
PCF8574AT
IRFW630BTM
LM5110-1MX
VSC8664XIC
VSC7418XKT-01
LMK04031BISQX
98DX107
P1010NSN5HHA
DS21554LB

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