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单晶硅生长炉的原理简介/我有更好的/，把高纯度的多晶硅原料放入高纯石英坩埚，通过石墨加热器产生的高温将其熔化；然后，对熔化的硅液稍做降温，使之产生一定的过冷度，再用一根固定在籽晶轴上的硅单晶体（称作籽晶）插入熔体表面，待籽晶与熔体熔和后，慢慢向上拉籽晶，晶体便会在籽晶下端生长；接着，控制籽晶生长出一段长为100mm左右、直径为3～5mm的细颈，用于消除高温溶液对籽晶的强烈热冲击而产生的原子排列的位错，这个过程是引晶；随后，放大晶体直径到工艺要求的大小，一般为75～300mm，这个过程称为放肩；接着，突然提高拉速进行转肩操作，蓝宝石长晶炉回收，多晶硅铸锭炉回收，提拉式长晶炉回收，多晶长晶炉回收，卧式长晶炉回收，拉式单晶炉、收购直拉式单晶炉-85型/90型/95型/100型种种整套单晶回收提炉装备、分子泵回收，真空泵回收，真空流量计回收，plc编程回收，控制屏回收，离子泵回收，涡轮分子泵回收，螺杆真空泵回收，涡旋高真空泵回收，在该炉工作前，由设于排气口 13上的真空泵将炉内空气排尽，然后从 该炉上端充入。工作时，炉内的石英坩埚上方不断有一氧化硅和粉尘 杂质生成，因此在不断充入的同时，所述真空泵同时将一氧化硅、粉 尘杂质与等的混合气体排出，其中，气体的流动过程为从石英坩埚上 方经坩埚支持器14与发热体16之间的间隙，以及发热体16与保温筒17 之间的间隙流入气流导向装置20,然后经图6中的气流导向装置20的一对 通气孔2-3、通气管19从排气口 13排出。本实施例的气流导向装置20可有效减小炉内空间(尤其是坩埚支持器 14下方的空间)，便于排气，且利于减少热能和的消耗量；另外，

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所述热场73套装在化料器坩埚72的外侧，便硅料依次进入加料坩埚62、装料器71和化料器坩埚72，并在化料器坩埚72内经热场73熔化后又进入主炉室坩埚21，为了方便外部加料器6的移动、拆卸和清理，连续拉晶单晶炉还包括用于驱动外部加料器6升降的加料器升降驱动装置和用于驱动外部加料器6旋转的加料器旋转驱动装置，所述外部加料器6通过加料器旋臂8连接在加料器升降驱动装置上，以便通过加料器升降驱动装置驱动加料器旋臂8升降，并通过加料器旋臂8带动外部加料器6升降，所述加料器旋转驱动装置连接在加料器升降驱动装置和加料器旋臂8之间，以便加料器旋转驱动装置随加料器旋臂8一起升降，并通过加料器旋转驱动装置驱动加料器旋臂8旋转，加料器旋臂8又带动外部加料器6旋转。