东莞生产PTFE花篮特氟龙花篮

白色、无臭、无味、的粉状物，俗称“塑料王”。具有优良的化学稳定性、耐腐蚀性、密封性、高润滑不粘性、电绝缘性和良好的耐力。耐高温，使用工作温度达250℃。耐低温，低温下具有良好的机械韧性，即使温度下降到－196℃，也可保持5%的伸长率。耐腐蚀，对大多数化学药品和溶剂表现出惰性，能耐强酸强碱、水和各种有机溶剂。耐候性好，有塑料中佳的老化寿命。高润滑，是固体材料中摩擦系数低者。不黏附，是固体材料中表面张力小者，不黏附任何物质。

晶圆单片清洗花篮,包括调节杆和托盘,调节杆包括圆柱杆和第二圆柱杆,第二圆柱杆和托盘固定连接,托盘底部设有通孔,托盘边缘设有环形凸起,环形凸起上设有若干个缺口,托盘上设有台阶，且台阶位于环形凸起上的一个缺口上,托盘上圆周分布有三个挡板,挡板下端固定连接有限位块，限位块下端固定连接有定位块，挡板滑动连接有滑动凹槽,限位凹槽上均匀的设有多个定位凹槽,定位凹槽的大小与定位块相匹配。

半导体IC制程主要以20世纪50年代以后发明的四项基础工艺（离子注入、扩散、外延生长及光刻）为基础逐渐发展起来，由于集成电路内各元件及连线相当微细，因此制造过程中，如果遭到尘粒、金属的污染，很容易造成晶片内电路功能的损坏，形成短路或断路等，导致集成电路的失效以及影响几何特征的形成。因此在制作过程中除了要排除外界的污染源外，集成电路制造步骤如高温扩散、离子植入前等均需要进行湿法清洗或干法清洗工作。干、湿法清洗工作是在不破坏晶圆表面特性及电特性的前提下，有效地使用化学溶液或气体清除残留在晶圆上之微尘、金属离子及有机物之杂质。

大直径晶片的清洗采用上述方法不好其清洗过程的完成，通常采用单晶片清洗法，其清洗过程是在室温下重复利用DI-O 3/DHF清洗液，臭氧化的DI水（DI-O3 ）产生氧化硅，稀释的HF蚀刻氧化硅，同时清除颗粒和金属污染物。根据蚀刻和氧化的要求采用较短的喷淋时间就可获得好的清洗效果，不会发生交叉污染。后冲洗不是采用DI水就是采用臭氧化DI水。为了避免水渍，采用浓缩大量氮气的异丙基乙醇（IPA）进行干燥处理。单晶片清洗具有或者比改良的RCA清洗更好的清洗效果，清洗过程中通过采用DI水及HF的再循环利用，降低化学品的消耗量，提高晶片成本效益。

硅片清洗花篮及提把耐强酸，强碱，耐有机溶剂，质地柔软，不损伤硅片，不沾污硅片。专为半导体光伏光电等行业设计的，一体成型，无需担心漏液。主要用于浸泡、清洗带芯片硅片电池片的花篮。由于PFA的特点它能耐受清洗溶液的腐蚀性，同时金属元素空白值低，无溶出无析出，不会污染芯片晶圆等。

随着材料应用技术的不断发展，PTFE材料的三大缺点：冷流性、难焊接性、难熔融加工性正在逐渐被克服，从而使它在光学、电子、医学、石油化工输油防渗等多种领域的应用前景更加广阔。