STW11NK90Z，ST意法场效应管原装供货

VNH5200ASTR性能特性：
汽车认证
输出电流:8安
3 V CMOS兼容输入
欠压关闭
过压箝位
热关机
交叉传导保护
电流和功率限制
非常低的待机功耗
防止土地流失和VCC流失
电流检测输出与电机电流成比例
输出受到接地短路和V短路保护抄送
包装:生态包®
ST意法MOSFET场效应管型号（部分）：
STF36N60M6
STF38N65M5
STF3LN80K5
STF3N62K3
STF3NK100Z
STF3NK80Z
STF3NK90Z(046Y)
STF40N60M2
STF42N65M5
STF43N60DM2
STF45N65M5
STF46N60M6ST/意法常用型号备有大量现货，公司承诺所售产品均为原装，以信用为基石，诚意合作。如需了解更多品牌，产品型号规格请咨询我们的销售人员。

LD3985M28R与低ESR电容兼容的低压降低噪声BiCMOS稳压器:
LD3985 在 2.5 V 至 6 V 输入电压范围内提供高达 150 mA 的电流。低压降、低静态电流和低噪声使其适用于低功耗应用和电池供电系统。稳压器接地电流仅在压差时略有增加，从而延长了电池寿命。电源抑制在低频时优于60 dB，在10 kHz时滚降。高电源抑制保持在电池供电电路常见的低输入电压电平。提供关断逻辑控制功能，这意味着当器件用作本地稳压器时，可以将电路板的一部分置于待机状态，从而降低总功耗。LD3985 设计用于低 ESR 陶瓷电容器。典型应用是移动电话和类似的电池供电无线系统。
ST意法MOSFET场效应管型号（部分）：
STF17NF25
STF18N60M2
STF18N65M2
STF18NM60N
STF18NM80
STF19NF20
STF20N65M5
STF20N90K5
STF20N95K5
STF20NF20
STF20NM65N-Y11
STF21N65M5
STF23NM60
STF24N60DM2ST/意法常用型号备有大量现货，公司承诺所售产品均为原装，更多产品型号规格请咨询我们的销售人员。

STW70N65DM6
N沟道650 V、360 mOhm典型值、68 A MDmesh DM6功率MOSFET，TO-247封装
这款高压 N 沟道功率 MOSFET 是 MDmesh DM6 快速恢复二极管系列的一部分。与上一代MDmesh快速产品相比，DM6具有非常低的恢复电荷（QRR）、恢复时间 （tRR）和R的出色改进DS（开启）单位面积，具有市场上有效的开关行为之一，适用于要求苛刻的桥式拓扑和 ZVS 移相转换器。
ST其他部分MOSFET场效应管型号：
FERD20M60SR
FERD20S100SB-TR
FERD20S100STS
FERD20U60DJFD-TR
FERD30M45CG-TR
FERD40L60CTS
IRF630
PD54008-E
PD85035STR-E
RF2L16180CB4
SCT1000N170
ST/意法常用型号备有大量现货，公司承诺所售产品均为原装，更多产品型号规格请咨询我们的销售人员。

RF2L16180CB4
180 W、28 V、1.3 至 1.6 GHz 射频功率 LDMOS 晶体管
功能
率和线性增益操作
集成静电保护
内部匹配，易于使用
针对多尔蒂应用进行了优化
较大的正负栅极-源极电压范围，可改善 C 类操作
符合欧洲指令 2002/95/EC
ST其他部分MOSFET型号：
STB100NF03L-03T4
STB10LN80K5
STB11N65M5
STB11NK40ZT4
STB11NK50ZT4
STB120NF10T4
STB12NM50ND
STB13N60M2
STB13N80K5
STB13NM60N
STB14NK50ZT4
STB150NF04
ST/意法常用型号备有大量现货，公司承诺所售产品均为原装，我们只做原装，欢迎合作！

STB100N10F7
N 沟道 100 V、0.0068 欧姆（典型值）、80 A STripFET F7 功率 MOSFET，采用 D2PAK 封装
这些 N 沟道功率 MOSFET 采用 STripFET F7 技术，具有增强的沟槽栅极结构，可实现非常低的导通电阻，同时还降低了内部电容和栅极电荷，从而实现更快、更的开关。
所有功能
在低的R中DS（开启）在市场上
的FoM（品质因数）
低 C.rss/C国际空间站抗扰度比
高雪崩性
ST意法其他部分MOSFET场效应管型号：
STB37N60DM2AG
STB45N30M5
STB46NF30
STB47N50DM6AG
STB47N60DM6AG
STB4NK60Z-1
STB4NK60ZT4
STB55NF06LT4
STB55NF06T4
STB57N65M5
STB5N80K
STB60NF06LT4
STB60NF06T4
ST/意法常用型号备有大量现货，我们只做原装，欢迎合作！

STB15N80K5
N沟道800 V、0.3 Ohm典型值、14 A MDmesh K5功率MOSFET，D2PAK封装
这款压N-沟道功率MOSFET s采用MDmesh™ K5技术进行设计。该技术以创新专有的垂直工艺为基础。因此，在要求高功率密度和率的应用中，导通电阻显著降低，并具有极低的栅极电荷。
所有功能：
业界的低 RDS(on)x 面积
业界出色的品质因数（FoM）
极低的栅极电荷
经过100％雪崩测试
稳压保护
ST意法其他部分MOSFET场效应管型号：
STB6N60M2
STB6NK60ZT4
STB6NK90ZT4
STB75NF20
STB75NF75LT4
STB75NF75T4
STB80NF10T4
STB80NF55L-08-1
STB8NM60T4
STB9NK50ZT4
STD100N10F7
STD100N3LF3
STD10LN80K5
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