LM5163QDDARQ1，TI汽车级芯片

TI德州仪器线性和低压降 (LDO) 稳压器品类的 LDO 产品系列
汽车级线性和低压降 (LDO) 稳压器产品系列：
TPS785-Q1 汽车类 1A 可调节低压降 (LDO) 线性稳压器
TPS784-Q1 具有和使能功能的汽车类 300mA、低 IQ、高 PSRR LDO 稳压器
TPS746-Q1 具有电源正常指示功能的汽车类、1A、低 IQ、高 PSRR、低压降 (LDO) 稳压器
TPS7A54-Q1 汽车类 4A、低输入电压 (1.1V)、低噪声、、低压降 (LDO) 稳压器
TPS7A53-Q1 汽车类 3A、低输入电压 (1.1V)、低噪声、、低压降 (LDO) 稳压器
TPS7A52-Q1 汽车类 2A、低输入电压 (1.1V)、低噪声、、低压降 (LDO) 稳压器
TPS7A88-Q1 汽车类 1A、低噪声、、双通道可调节低压降稳压器
TLV733P-Q1 具有使能功能的汽车类 300mA、低 IQ、低压降稳压器
LP5912-Q1 具有反向电流保护功能的汽车类 500mA、低噪声、低 IQ、低压降稳压器
TPS720-Q1 具有使能功能的汽车类、350mA、低输入电压 (1.1V)、高 PSRR、低 IQ、低压降稳压器
TLV713P-Q1 具有使能功能的汽车类 150mA、低压降稳压器
LP3990-Q1 具有使能功能的汽车类 150mA、低 IQ、低压降稳压器
LP5907-Q1 具有低 IQ 和使能功能的汽车类 250mA、低噪声、高 PSRR、低压降稳压器
TPS735-Q1 具有使能功能的汽车类 500mA、低噪声、低 IQ、低压降稳压器
TPS7A8101-Q1 具有使能功能的汽车类、1A、高 PSRR、可调节低压降稳压器
LP3996-Q1 具有电源正常指示和使能功能的汽车类 150mA、低 IQ、双通道低压降稳压器

TI德州仪器MOSFET常用型号大量现货，详情请咨询。
CSD17556Q5B
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD17556Q5B 的特性：
极低电阻
低 Qg 和 Qgd
低热阻
雪崩级
无铅引脚镀层
符合 RoHS 标准
无卤素
SON 5mm × 6mm 塑料封装
以下MOSFET部分型号：
CSD93501-Q1 CSD88599Q5DC
CSD95420RCB CSD87313DMS
CSD95410RRB CSD18510Q5B
CSD96497Q5MC CSD18510KCS
CSD95485RWJ CSD95482RWJ
CSD86356Q5D CSD18512Q5B
CSD86336Q3D CSD18543Q3A
CSD25501F3 CSD95495QVM
CSD18511KCS CSD18510KTT
CSD18511KTT CSD18511Q5A
CSD87503Q3E CSD18513Q5A

TI德州仪器MOSFET管:
CSD18511KCS 的特性
低 Qg 和 Qgd
低 RDS(ON)
低热阻
雪崩额定值
无铅引脚镀层
符合 RoHS 环保标准
无卤素
晶体管 (TO)-220 塑料封装
CSD25501F3 - 采用 0.6mm x 0.7mm LGA、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD18511KCS - 采用 TO-220 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD18511KTT - 采用 D2PAK 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD87503Q3E - 采用 3mm x 3mm SON 封装的双路共源极、21.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD17318Q2 - 采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、16.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD22205L - 采用 1.2mm x 1.2mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、9.9mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD22206W - 采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、5.7mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET