闸北MOSFET二极管报价

MOSFET（包括SiC-MOSFET）在漏极和源极之间具有一个体二极管。体二极管由源极和漏极之间的pn结构组成，也被称为“寄生二极管”或“内部二极管”。对于MOSFET而言，体二极管的性能是其中一个重要参数，在实际应用中起着至关重要的作用。

每个MOSFET都带有一个内部二极管，该二极管跨接在它们的漏源极引脚之间。二极管阳极与源极相连，而阴极引脚与器件的源极引脚相连。因MOSFET配置在桥接网络中，二极管也配置成基本的全桥整流器网络格式。用几个继电器，实现快速转换，以使电网AC能够通过MOSFET二极管为电池充电。实际上，MOSFET内部二极管，此种桥式整流器网络结构，用单个变压器作为逆变器变压器和充电器变压器的过程简单。

功率MOS场效应晶体管，即MOSFET，其原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。

功率MOSFET的内部结构和电气符号如图1所示；其导通时只有一种极性的载流子（多子）参与导电，是单极型晶体管。导电机理与小功率mos管相同，但结构上有较大区别，小功率MOS管是横向导电器件，功率MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET（Vertical MOSFET），大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。功率MOSFET为多元集成结构，如国际整流器公司（International Rectifier）的HEXFET采用了六边形单元；西门子公司（Siemens）的SIPMOSFET采用了正方形单元；摩托罗拉公司（Motorola）的TMOS采用了矩形单元按“品”字形排列。

MOSFET的开关速度和Cin充放电有很大关系，使用者无法降低Cin，但可降低驱动电路内阻Rs减小时间常数，加快开关速度，MOSFET只靠多子导电，不存在少子储存效应，因而关断过程非常迅速，开关时间在10—100ns之间，工作频率可达100kHz以上，是主要电力电子器件中高的。场控器件静态时几乎不需输入电流。但在开关过程中需对输入电容充放电，仍需一定的驱动功率。开关频率越高，所需要的驱动功率越大。
在器件应用时除了要考虑器件的电压、电流、频率外，还掌握在应用中如何保护器件，不使器件在瞬态变化中受损害。当然晶闸管是两个双极型晶体管的组合，又加上因大面积带来的大电容，所以其dv/dt能力是较为脆弱的。对di/dt来说，它还存在一个导通区的扩展问题，所以也带来相当严格的限制。
功率MOSFET的设计过程中采取措施使其中的寄生晶体管尽量不起作用。在不同代功率MOSFET中其措施各有不同，但总的原则是使漏极下的横向电阻RB尽量小。因为只有在漏极N区下的横向电阻流过足够电流为这个N区建立正偏的条件时，寄生的双极性晶闸管才开始发难。然而在严峻的动态条件下，因dv/dt通过相应电容引起的横向电流有可能足够大。此时这个寄生的双极性晶体管就会起动，有可能给MOSFET带来损坏。所以考虑瞬态性能时对功率MOSFET器件内部的各个电容（它是dv/dt的通道）都予以注意。瞬态情况是和线路情况密切相关的，这方面在应用中应给予足够重视。对器件要有深入了解，才能有利于理解和分析相应的问题。
FET用作具有两个触点的导电半导体通道-“源极”和漏极。 GATE结可以被理解为作为MOS结构的2端子电路，该MOS结构用作整流反向偏置模式。 通常，在经典工作情况下，GATE阻抗较高。根据这些标准的FET通常是MOSFET，JFET，金属半导体FET（MESFET）和异质结构FET。 在这些FET中，MOSFET是重要的晶体管之一，通常用于各种应用。
为了正常工作，MOSFET 保持正温度系数。这意味着几乎没有热失控的机会。通态损耗较低，因为理论上晶体管的通态电阻没有限制。此外，由于 MOSFET 可以在高频下工作，它们可以执行快速开关应用而关断损耗很小。