朝阳塑壳连接器JL23-20ZJB航插件

射频同轴连接器性能指标插损，指当一个元器件或系统插入连接到某个电路时，使该电路产生能量损耗，所损耗的能量为该元器件或系统的插损，往往以dB为单位。插损是随着频率的增加而增加的。这是由于趋肤效应而产生的射频泄露。

射频同轴连接器性能指标介电常数，用于衡量绝缘体储存电能的性能,代表了电介质的化程度，也就是对电荷的束缚能力，介电常数越大，对电荷的束缚能力越强. 介质在外加电场时会产生感应电荷而削弱电场，原外加电场（真空中）与终介质中电场比值即为介电常数(permittivity)，又称诱电率或相对电容率。如果有高介电常数的材料放在电场中，场的强度会在电介质内有可观的下降。一对电容板中充入介电常数为ε的物质后电容变大ε倍。电介质有使空间比起实际尺寸变得更大或更小的属性。例如，当一个电介质材料放在两个电荷之间，它会减少作用在它们之间的力，就像它们被移远了一样.当电磁波穿过电介质，波的速度被减小，波长变短.连接器常用的绝缘材料的介电常数一般在2-5间,如特氟龙是2.1,FR4是4.6。

射频同轴连接器是连接电器线路的机电元件，起到使传输线电气连接或断开的作用，属于失效机理较为复杂的一种机电一体化产品。射频同轴连接器亦称RF 连接器。“R”是RADIO（无线电）的个字母，“F”是FREQUENCY（频率）的个字母。