西码二极管W0628SA150中频电源设备配件安全可靠

整流二极管代换：
整流二极管损坏后，可以用同型号的整流二极管或参数相同其它型号整流二极管代换。
通常，高耐压值（反向电压）的整流二极管可以代换低耐压值的整流二极管，而低耐压值的整流二极管不能代换高耐压值的整流二极管。整流电流值高的二极管可以代换整流电流值低的二极管，而整流电流值低的二极管则不能代换整流电流值高的二极管。

整流二极管是由硅半导体材料制成的，采用面接触型二极管结构，如图一所示。由于采用面接触结构，硅整流二极管的特点是工作频率低、允许的工作温度高，允许通过的正向电流大，反向击穿电压高。整流二极管在电路中的主要作用是将交流电变成直流电，以适应各种电子设备。

二极管，（英语：Diode），电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方

向流过，许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管（Varicap Diode）则用来当作电子

式的可调电容器。大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流（Rectifying）”

功能。二极管普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过（称为顺向偏压），反向时阻断

（称为逆向偏压）。因此，二极管可以想成电子版的逆止阀
早期的二极管包含“猫须晶体（"Cat's Whisker" Crystals）”以及真空管(英国称为“热游

离阀（Thermionic Valves）”)。现今普遍的二极管大多是使用半导体材料如硅或锗。

二极管主要的特性是单向导电性，其伏安特性曲线。
⒈正向特性
当加在二极管两端的正向电压（P为正、N为负）很小时（锗管小于0.1伏，硅管小于0.5伏），

管子不导通，处于“截止”状态，当正向电压超过一定数值后，管子才导通，电
二极管伏安特性曲线
二极管伏安特性曲线
压再稍微，电流急剧暗加（见曲线I段）。不同材料的二极管，起始电压不同，硅管为

0.5-0.7伏左右，锗管为0.1-0.3左右。
⒉反向特性
二极管两端加上反向电压时，反向电流很小，当反向电压逐渐增加时，反向电流基本保持不变

，这时的电流称为反向饱和电流（见曲线Ⅱ段）。不同材料的二极管，反向电流大小不同，硅

管约为1微安到几十微安，锗管则可高达数百微安，另外，反向电流受温度变化的影响很大，

锗管的稳定性比硅管差。
⒊击穿特性
当反向电压增加到某一数值时，反向电流急剧，这种现象称为反向击穿。这时的反向电压

称为反向击穿电压，不同结构、工艺和材料制成的管子，其反向击穿电压值差异很大，可由1

伏到几百伏，甚达数千伏。
⒋频率特性
由于结电容的存在，当频率高到某一程度时，容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电

性，不能工作，PN结面积越大，结电容也越大，越不能在高频情况下工作。

二极管是常用的电子元件之一，它大的特性就是单向导电，也就是电流只可以从二极管的

一个方向流过，二极管的作用有整流电路，检波电路，稳压电路，各种调制电路，主要都是由

二极管来构成的，其原理都很简单，正是由于二极管等元件的发明，才有我们现 在丰富多彩

的电子信息世界的诞生，既然二极管的作用这么大那么我们应该如何去检测这个元件呢，其实

很简单只要用万用表打到电阻档测量一下反向电阻如果很小就说明这个二极管是坏的，反向电

阻如果很大这就说明这个二极管是好的。对于这样的基础元件我们应牢牢掌握住他的作用原理

以及基本电路，这样才能为以后的电子技术学习打下良好的基础
晶体二极管一般可用到十万小时以上。但是如果使用不合理，他就不能充分发挥作用，甚至很快地被损坏。要合理地使用二极管，掌握他的主要参数，因为参数是反应质量和特性的。
高工作频率fM（MC）----二极管能承受的高频率。通过PN结交流电频率此值，二极管接不能正常工作。
高反向工作电压VRM（V）----二极管长期正常工作时，所允许的高反压。若越过此值，PN结就有被击穿的可能，对于交流电来说，高反向工作电压也就是二极管的高工作电压。
大整流电流IOM（mA）----二极管能长期正常工作时的大正向电流。因为电流通过二极管时就要发热，如果正向电流越过此值，二极管就会有烧坏的危险。所以用二极管整流时，流过二极管的正向电流（既输出直流）不允许超过大整流电流

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正向性
外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用
，正向电流几乎为零，这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当
正向电压大于死区电压以后，PN结内电场被克服，二极管正向导通，电流随电压而迅速上
升。在正常使用的电流范围内，导通时二极管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二极管的
正向电压。当二极管两端的正向电压超过一定数值 ，内电场很快被削弱，特性电流迅速增长
，二极管正向导通。 叫做门坎电压或阈值电压，硅管约为0.5V，锗管约为0.1V。硅二极管的
正向导通压降约为0.6~0.8V，锗二极管的正向导通压降约为0.2~0.3V。