主营产品：MCU单片、存储芯片、驱动芯片、接口IC、蓝牙芯片、监控芯片、WIFI芯片、网络通讯芯片、汽车芯片、定位芯片、耦合器。
STM32F030F4P6特性：
STM32F030x4/x6/x8/xC微控制器集成了Arm®皮质®-工作频率为48 MHz的M0 32位RISC内核、高速嵌入式存储器(高达256千字节的闪存和高达32千字节的SRAM)，以及广泛的增强型外设和I/o。所有设备都提供标准通信接口(多两个I2Cs、多两个SPI和多六个USARTs)、一个12位ADC、七个通用16位定时器和一个控制PWM定时器。
STM32F030x4/x6/x8/xC微控制器采用2.4至3.6V电源供电，工作温度范围为-40至+85°C。一套全面的省电模式支持低功耗应用的设计。
STM32F030x4/x6/x8/xC微控制器包括四种不同封装的器件，从20引脚到64引脚不等。根据所选的设备，包括不同的外设集。以下描述概述了建议的完整系列STM32F030x4/x6/x8/xC外设。
这些特性使STM32F030x4/x6/x8/xC微控制器适合各种应用，如应用控制和用户界面、手持设备、A/V接收器和数字电视、PC外设、游戏和GPS平台、工业应用、PLC、逆变器、打印机、扫描仪、报警系统、视频对讲机和HVACs。
ST意法MOSFET场效应管型号（部分）：
STM32F038C6T6
STM32F042C4U6
STM32F038C6T7
STM32F042C6U7
STM32F031F4P7
STM32F031G4U7
STM32F042F6P7
STM32F051K6U6
STM32F042K4U6
STM32F051K4U7
STM32F031C6T7
ST/意法常用型号备有大量现货。如需了解更多品牌，产品型号规格请咨询我们的销售人员。
STM32F103VBT6特性：
这些器件采用2.0至3.6 V电源供电。它们的工作温度范围为–40至+85°C和–40至+105°C扩展温度范围。一套全面的省电模式允许设计低功耗应用。
STM32F103xx中密度系列包括六种不同封装类型的器件:从36引脚到100引脚。根据所选的器件，包括不同的外设集，下面的描述概述了该系列中建议的所有外设。
这些特性使STM32F103xx中密度系列微控制器适合各种应用，如电机驱动、应用控制、医疗和手持设备、PC和游戏外设、GPS平台、工业应用、PLC、逆变器、打印机、扫描仪、报警系统、视频对讲机和HVACs。
ST意法MOSFET场效应管型号（部分）：
STM32F072C8U7
STM32F072R8T6
STM32F071V8T6
STM32F091CBT7
STM32F078RBT6
STM32F091CCT7
STM32F072RBT7
STM32F091CCU6
STM32F098CCT6
STM32F091CCU7
STM32F091VCT7
STM32F042C6T7
STM32F071CBT7
STM32F078CBT6
STM32F072CBU7
ST/意法常用型号备有大量现货，公司承诺所售产品均为原装，以信用为基石，诚意合作。如需了解更多品牌，产品型号规格请咨询我们的销售人员。
LD3985M28R与低ESR电容兼容的低压降低噪声BiCMOS稳压器:
LD3985 在 2.5 V 至 6 V 输入电压范围内提供高达 150 mA 的电流。低压降、低静态电流和低噪声使其适用于低功耗应用和电池供电系统。稳压器接地电流仅在压差时略有增加，从而延长了电池寿命。电源抑制在低频时优于60 dB，在10 kHz时滚降。高电源抑制保持在电池供电电路常见的低输入电压电平。提供关断逻辑控制功能，这意味着当器件用作本地稳压器时，可以将电路板的一部分置于待机状态，从而降低总功耗。LD3985 设计用于低 ESR 陶瓷电容器。典型应用是移动电话和类似的电池供电无线系统。
ST意法单片机MUC型号（部分）：
STM32F103VDH6
STM32F101ZET6
STM32F103ZFT6
STM32F103VFT7
STM32F107VBT6
STM32F105VCT7
STM32F101TBU6
STM32F103C8T7
STM32F103R8T7
STM32F105R8T7
STM32F101VBT6
STM32F103V8H6
STM32F103RBH7
STM32F103VBH6
STM32F103VBH7ST/意法常用型号备有大量现货，公司承诺所售产品均为原装，更多产品型号规格请咨询我们的销售人员。
FERD20M60
60 V、20 A 场效应整流二极管 （FERD）该单整流器基于专有技术，可实现V类中的佳效果F/我R给定硅表面的权衡。
该器件采用 TO-220AB 和 I²PAK 封装，旨在用于开关模式电源的整流和续流操作。
ST其他部分单片机MCU型号：
STM32G473RBT6
STM32F411VCT6
STM32F302VCT6
STM32G491KEU6
STM32L451RET6
STM32L452REI6
STM32L433VCI3
STM32G491CEU6
STM32F373VCH6
STM32G474RCT6
STM32G491REI6
STM32L462VEI6
STM32L452REI3
STM32G473CET6
STM32G474CEU6ST/意法常用型号备有大量现货，公司承诺所售产品均为原装，更多产品型号规格请咨询我们的销售人员。
STB15N80K5
N沟道800 V、0.3 Ohm典型值、14 A MDmesh K5功率MOSFET，D2PAK封装
这款压N-沟道功率MOSFET s采用MDmesh™ K5技术进行设计。该技术以创新专有的垂直工艺为基础。因此，在要求高功率密度和率的应用中，导通电阻显著降低，并具有极低的栅极电荷。
所有功能：
业界的低 RDS(on)x 面积
业界出色的品质因数（FoM）
极低的栅极电荷
经过100％雪崩测试
稳压保护
ST意法其他部分单片机MCU型号：
STM32G071C8T6
STM32L031K6T7
STM32L031C6T7
STM32F301K6U6
STM32G071KBT6
STM32G0B0RET6
STM32L052K6U6
STM32G071CBT6
STM32L051K8T6
STM32L071K8U6
STM32L412C8T6
STM32G071GBU3
STM32F301K8U7
STM32G071RBT6
STM32L052C8T6ST/意法常用型号备有大量现货，我们只做原装，欢迎合作！
STD100N10F7
N沟道100 V、0.0068 Ohm典型值、80 A STripFET F7功率MOSFET，DPAK封装
该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。
处于市面上低的 RDS(on) 行列
出色的品质因数（FoM）
较低的Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力
坚固的抗雪崩能力
STD100N3LF3：
N沟道30 V、0.0045 Ohm典型值、80 A STripFET(TM) II功率MOSFET，DPAK封装
ST意法其他部分MCU单片机型号：
STM32G431C6T6
STM32F302RBT6
STM32L072CZT6
STM32F334K8U6
STM32L433CBT6
STM32G441KBT6
STM32L451CCU6
STM32G431CBU3
STM32F373CBT6
STM32G0C1RET6
STM32F373RBT6
STM32L433CCU3
STM32G473CBU6
STM32L443RCT6
STM32L451CCU3
STM32L452RCT6
STM32L433CCT3
STM32G0B1VET6
STM32L433VCT6
STM32L552CCU6
ST/意法常用型号备有大量现货，我们只做原装，欢迎合作！