德国英飞凌IGBT模块英飞凌FF150R12KS4

IGBT5是所有IGBT系列里土豪的产品，别的芯片表面金属化都用的铝，而IGBT5使用厚铜代替了铝，铜的通流能力及热容都远远优于铝，因此IGBT5允许更高的工作结温及输出电流。同时芯片结构经过优化，芯片厚度进一步减小。
• 技能：175℃工作结温，1.5V饱和电压，输出电流能力提升30%
因为IGBT5表面覆铜，并且在模块封装中采用了的.XT封装工艺，因此工作结温可以达到175℃。芯片厚度相对于IGBT4进一步减薄，使得饱和压降更低，输出电流能力提升30%。
• 名号：E5，P5
目前IGBT5的芯片只封装在PrimePACK™里，电压也只有1200V，1700V，代表产品FF1200R12IE5，FF1800R12IP5。
IGBT4
IGBT4是目前使用广泛的IGBT芯片技术，电压包含600V，1200V，1700V，电流从10A到3600A，各种应用中都可以见到它的身影。
• 特征：沟槽栅+场截止+薄晶圆
和IGBT3一样，都是场截止+沟槽栅的结构，但IGBT4优化了背面结构，漂移区厚度更薄，背面P发射极及N buffer的掺杂浓度及发射效率都有优化。
• 技能：高开关频率，优化开关软度，150℃工作结温
IGBT4通过使用薄晶圆及优化背面结构，进一步降低了开关损耗，同时开关软度更高。同时，高允许工作结温从3代的125℃提高到了150℃，这无疑能进一步增加器件的输出电流能力。