纳米烧结银做为SiC芯片封装的互连层研究总结
IGBT功率器件被广泛用于新能源电车、车载逆变器上，做主要的控制元器件，而以SiC为代表的第三代半导体材料所制成的功率器件能够承受500℃左右甚至更高的温度，比Si小近千倍的导通电阻，多20倍左右的开关频率等性。
善仁新材研究院通过各种测试得知：纳米烧结银的互连层的空隙大小和空隙率高低和烧结温度，升温速率，保温时间等有密切的关系。
随着无铅化的推进，善仁新材的纳米烧结银时替代焊锡膏作为连接材料的候选材料之一，特别是在混动和电动汽车，高铁，航空航天，太阳能，深井石油开采等需要在200度恶劣环境下的各种工作应用，必将成为主流的互连材料之一。