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MMBT5088LT1G,三极管(BJT)安森美原装优势供货

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MMBFJ176:P 沟道开关 该器件设计用于低电平模拟开关采样和保持电路以及斩波稳定放大器。
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MM74HC08简述:
MXMM74HC08 AND门采用的硅栅CMOS技术,可实现与LS-TTL门相似的工作速度,并具有标准CMOS集成电路的低功耗。HC08 具有缓冲输出,提供高抗噪性,并能够驱动 10 个 LS-TTL 负载。74HC 逻辑系列在功能和引脚排列上与标准 74LS 逻辑系列兼容。所有输入均受到内部二极管箝位的保护,不会因静电放电而损坏至 V抄送和地面。
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FDC6330L适用于需要 3V 至 20V 输入和 2.3A 输出电流能力的便携式电子设备中的紧凑型电源管理。该负载开关集成了一个小型 N 沟道功率 MOSFET (Q1),该 MOSFET 在一个微型 SuperSOT-2™ 封装中驱动一个大型 P 沟道功率 MOSFET (Q6)。
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MOC3041SR2M概述:
MOC303XM和MOC304XM器件由一个光耦合到单片硅探测器的AlGaAs红外发射二极管组成,该二极管具有零电压交叉双边三端双向可控硅驱动器的功能。
它们设计用于逻辑系统接口中的三端双向可控硅,用于由 115VAC 线路供电的设备,例如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、螺线管和消费电器等。
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FSA2567UMX简述:
模拟开关(DPDT、SPDT、SPST 和其他配置),用作音频、数据和信号的模拟多路复用器和解复用器。
FSA2567是一款双向、低功率、双双极、,针对双SIM卡的双掷(4PDT)模拟开关多路复用。它经过优化,可用于切换WLAN−SIM数据和控制信号,并将一个通道为电源开关。FSA2567兼容SIM卡和具有10 pF的低导通电容(CON),以确保高速数据传输。VSIM开关路径具有低RON特性确保双SIM卡供电路径中的电压降小。FSA2567包含可将电流降至低的特殊电路当施加到SEL引脚的控制电压较低时的消耗而不是电源电压(VCC)。此功能在以下方面特别有价值超便携应用程序,如手机;允许直接与基带处理器的通用I/O接口。其他应用程序包括中的交换和连接器共享便携式手机、掌上电脑、数码相机、打印机和笔记本电脑计算机。
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NCP1380DDR2G简述:
NCP1380是一款器件,旨在为准谐振转换器供电。该控制器利用专有的谷值锁定系统,随着功率负载变轻而换档并降低开关频率。尽管开关事件总是在漏源谷触发,但仍能实现稳定运行。该系统工作到第 4 谷,并切换到变频模式,确保出色的待机功率性能。为了提高过载情况下的安全性,该控制器包括一个过功率保护 (OPP) 电路,该电路将输送的功率箝位在高压线路上。在安全方面,固定的内部定时器依靠反馈电压来检测故障。定时器结束后,控制器停止并保持选项 A 和 C 的锁定状态,或进入选项 B 和 D 的自动恢复模式。 该控制器特别适用于适配器应用,其引脚可实现组合过压/过热保护(A 和 B 型)或组合掉压/过压保护(C 和 D 型)。
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