IRFH5301TRPBF，场效应管(MOSFET)原装供货

IRF150P220AKMA1
采用 TO-150 封装的 247V 单 N 沟道强红外场效应管™功率 MOSFET
功能特性：
极低的RDS（开启）
出色的栅极电荷 x RDS（开启）（FOM）
优化的 Q 值RR
175°C 工作温度
根据JEDEC标准进行产品验证
针对分销合作伙伴提供的广泛可用性进行了优
降低传导损耗
高开关频率的理想选择
更低的过冲电压
与 150°C 额定部件相比，可靠性更高
无卤素，符合 IEC61249-2-21 标准
Infineon英飞凌全系列型号大全（部分）：
BSC070N10NS3G
IRLR024NTRPBF
IRLR3410TRPBF
IRFR120NTRPBF
IRFR5410TRPBF
IRFR220NTRPBF
IRFR7440TRPBF
BSS308PEH6327
IRFR1205TRPBF
IRF7480MTRPBF
IRF9310TRPBF
BSS138NH6327
IRF7351TRPBF
BSC093N15NS5
BSS316NH6327
常用型号大量原装现货，更多型号请咨询，欢迎各方案公司，终端工厂咨询合作！

SPB80P06P-G描述：
P 沟道增强模式 场效应晶体管 （FET）， -60V， D2PAK
英飞凌高度创新的OptiMOS™系列包括p沟道功率MOSFET。这些产品始终如一地满足电源系统设计关键规格的和性能要求，例如导通电阻和品质因数特性。
功能摘要：
增强模式
雪崩等级
快速切换
额定分量/分吨
无铅镀铅
符合 RoHS 标准，无卤素
符合 AEC Q101 标准
Infineon英飞凌全系列型号大全（部分）：
IPT007N06N
IRL540NPBF
IRF100B201
BF998E6327
SPW20N60C3
IRFZ34NPBF
IRF2807PBF
IRF200P222
IRF520NPBF
IRF200S234
IRF1404PBF
SPP20N60C3
IRF1405PBF
IRLZ34NPBF
IRF540ZPBF
英飞凌常用型号常备现货，交货快捷迅速，欢迎各方案公司，终端工厂咨询合作！

静电保护_浪涌电压保护：当今的消费电子设备中，静电保护（ESD）对于保障严酷瞬变环境下系统的稳健性至关重要。英飞凌提供多种TVS（瞬变电压抑制）二极管，以从系统层面保护电子设备。
快速增长的芯片级封装系列
英飞凌不断地扩大芯片级封装的TVS二极管系列，力求在超小型封装内，以竞争力的价格提供的保护性能，同时质量水平高，性能稳健。
Infineon英飞凌全系列型号大全（部分）：
IAUA200N04S5N010
IPW60R037P7XKSA1
BSZ019N03LSATMA1
IPP60R360P7XKSA1
IPB320P10LMATMA1
IPD60R180C7ATMA1
IPP076N15N5AKSA1
IPA90R1K2C3XKSA2
IPD80R4K5P7ATMA1
IPU80R4K5P7AKMA1
BSL606SNH6327XTSA1
IMBF170R1K0M1XTMA1
BSC520N15NS3GATMA1
IMW120R020M1HXKSA1
IPD30N10S3L34ATMA1
英飞凌常用型号常备现货，交货快捷迅速！

英飞凌 CoolGaN™ 是一种的 GaN （氮化镓）晶体管技术，可在高达 600 V 的电压范围内进行功率转换。凭借在半导体市场上积累的长期经验，英飞凌完善了增强模式方案，并可进行大批量端到端生产。的质量确保的标准，于市场上的一众 GaN HEMT 产品中提供了极为可靠且性能的解决方案。
Infineon英飞凌全系列型号大全（部分）：
BSC0805LSATMA1
IRFS7530TRLPBF
IRFS4115TRLPBF
IRFS7437TRLPBF
IRFS4321TRLPBF
IRF520NSTRLPBF
IRF3415STRLPBF
IRFS4010TRLPBF
IRLR3410TRLPBF
IRLZ34NSTRLPBF
IRLTS2242TRPBF
IRFS7430TRL7PP
BSC0702LSATMA1
IRLHS2242TRPBF
IRFTS8342TRPBF
我司承诺所有产品均为原装，可提供专项发票。

英飞凌广泛的 12 V-40 V N 沟道 MOSFET 产品组合小巧紧凑，包括OptiMOS™和StrongIRFET™适用于低、中、高功率应用的技术。
低压 12 V-40 V MOSFET 产品系列包括 20 V N 沟道功率 MOSFET、30 V N 沟道 MOSFET 和 40 V N 沟道 MOSFET。英飞凌的™ 光电产品组合提供更高的效率和功率密度，而庞大的产品组合强式红外场效应管™产品提供、坚固的设计以及的性能。通过提供两者OptiMOS™和StrongIRFET™在产品系列中，英飞凌提供节省空间的解决方案不仅优化了热性能，而且在减小尺寸的同时提高了额定电流。
Infineon英飞凌全系列型号大全（部分）：
BSC117N08NS5ATMA1
BSS123NH6433XTMA1
BSC040N10NS5ATMA1
BSZ040N06LS5ATMA1
IPD70R900P7SAUMA1
BSS138NH6433XTMA1
BSS123NH6327XTSA1
IPP040N06N3GXKSA1
IPD60R360P7SAUMA1
IPB200N25N3GATMA1
BSD223PH6327XTSA1
BSZ063N04LS6ATMA1
BSS192PH6327FTSA1
BSC110N15NS5ATMA1
IPD5N25S3430ATMA1
英飞凌大量原装现货，让您合作无忧。

IPD90R1K2C3ATMA2
功能摘要
低比导通电阻（RDS（开启）*一）
输出电容中的能量存储非常低（E开放源码软件） @400V
低栅极电荷（Qg)
经过现场验证的酷苔质量™
CoolMOS™技术自1998年以来一直由英飞凌制造
优点：
率和功率密度
出色的性价比
高可靠性
易于使用
Infineon英飞凌全系例型号大全（部分）：
ICE3PCS03GXUMA1
ICE2QR2280G
ICE2QR2280Z
BSP76E6433
TLE6251DS
TLE9251VSJ
TLE6250GV33XUMA1
TLE6250G
TLS4120D0EPV33XUMA1
TDA21472
TLE8366EV50XUMA1
IR3897MTRPBF
XDPS2201XUMA1
ESD108B1CSP0201XTSA1
ESD5V3U2U03FH6327XTSA1
ESD5V5U5ULCE6327HTSA1
ESD103-B1-02ELE6327
ESD105-B1-02ELE6327
ESD101B102ELSE6327XTSA1
ESD128B1W0201E6327XTSA1
英飞凌常用MOSFET型号大量现货，欢迎商务联系合作！