无锡定制MOSFET二极管厂家
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MOSFET(包括SiC-MOSFET)在漏极和源极之间具有一个体二极管。体二极管由源极和漏极之间的pn结构组成,也被称为“寄生二极管”或“内部二极管”。对于MOSFET而言,体二极管的性能是其中一个重要参数,在实际应用中起着至关重要的作用。
在SiC-MOSFET中,当向漏极施加负电压时,以源极为基准,体二极管处于正向偏置状态。绿色曲线表示Vgs=0V时的特性,即MOSFET处于关断状态,没有通道电流,因此该条件下的Vd-Id特性可以看作是体二极管的Vf-If特性。正如“何谓碳化硅”中提到的,SiC具有更宽的带隙,因此其体二极管的Vf比Si-MOSFET大得多。
为了正常工作,MOSFET 保持正温度系数。这意味着几乎没有热失控的机会。通态损耗较低,因为理论上晶体管的通态电阻没有限制。此外,由于 MOSFET 可以在高频下工作,它们可以执行快速开关应用而关断损耗很小。