原理有开关过程中的漏电流、晶体管开关过程中的反向恢复时间等。
1、开关过程中的漏电流：在IGBT模块工作时，如果开关速度足够快，会产生大量瞬态漏电流，并在导通状态下引入大量电荷，这些电荷需要被重新收集或放散，从而形成了吸收电容效应。
2、晶体管开关过程中的反向恢复时间：IGBT模块的晶体管由PN结组成，在开关过程中，当晶体管从导通状态转变为截止状态时，PN结产生额外的电荷和电场效应，这会导致反向恢复时间延长，产生额外的吸收电容。
IGBT的吸收电容过热有哪些原因？
IGBT的吸收电容过热原因有几方面构成：
1、此电容是吸收过冲能量的一个电容，要求是低损耗、高频性能好，而且要允许通过大的脉动电流；
2、此电容选料要用聚碳酸树脂或者CBB料；
3、制作工艺一定要用无感办法，不能用卷绕制造方法；
4、喷金工艺不好也是发热的一个因素；
5、引出线应该用紫铜线，而不能用铁线或PC线，线径要1mm以上。
无感吸收电容能做耦合吗？
吸收电容还是不要做耦合吧，音频是正反向的交变电流，代表耦合电容使用在双极性状态下，众所周知的：电容正负反接会带来成倍的漏电流，在大电流中甚至漏液爆浆。用有极性电解做耦合，此电容总处于正负交变电流环境工作，总有漏电流存在，这个就已经违反了电容通交流隔直流的基本特性，当然能响，没有追求是个电容都能耦合，但是对于音质的影响还是有的。耦合还是用无极的好，无极电解，薄膜电容等等，这个还是退藕用吧，这个岗位更适合他