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TDK高自谐振频率电感器MLK系列单片结构高频电感

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TDK MLK多层电感器采用千兆螺旋层压结构,可达到比MLG结构更高的自谐振频率,同时限制GHz频带中的Q值减小。该器件采用了多层和烧结工艺以及适合用于高频应用的陶瓷和导电材料,从而实现了的单片结构。这些电感器采用0603 (0.6x0.6x0.03mm) 和1005 (1.0x0.5x0.5mm) 封装尺寸,电感值为1.1μH、11μH和100μH。TDK MLK系列电感器的工作温度范围为-55°C至125°C。

高自谐振频率的多层电感器
多层电感器包括:多个彼此层叠的导电线圈,每一个导电线圈基本上均位于水平平面内而且在竖直方向上与其它导电线圈隔开,其中一个所述导电线圈是位于所有其它导电线圈之上的上导电线圈,而另一个所述导电线圈是位于所有其它导电线圈之下的下导电线圈;上导电端件,其形成在电感器上用于将电感器与电路板相连接,上导电端件在竖直方向上处于所有所述导电线圈之上并与它们相隔一定距离;下导电端件,其形成在电感器上用于将电感器与电路板相连接,下导电端件处于所有所述导电线圈之下并与它们隔开一定距离;介质材料,其在所述竖向隔开的导电线圈和上、下导电端件之间延伸并将它们隔开,所述的介质材料中具有多个通孔,这些通孔在相邻的各对导电线圈之间、上导电线圈和上导电端件之间、以及下导电线圈和下导电端件之间形成电性连接;多个导电通孔接头伸过通孔以便将所述多个导电线圈、上端件、和下端件彼此串联起来。

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以下是我司常备MLK系列单片结构高频电感
MLK0603L3N9ST000
MLK0603L5N1ST000
MLK0603L8N2JT000
MLK1005S8N2JT000
MLK0603L9N1JT000
MLK1005S9N1JT000
MLK0603L6N2ST000
MLK1005S1N6ST000
MLK0603L3N6ST000
MLK0603L18NJT000
MLK1005SR12JT000
MLK0603L1N1ST000
MLK0603L1N6ST000
MLK1005S82NJT000
MLK0603L33NJT000
MLK1005S10NJT000
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MLK1005SR27JT000
MLK0603L2N7ST000
MLK1005SR24JTD25
MLK1005S2N2ST000
MLK1005S33NJTD25
MLK1005S68NJTD25
MLK1005S2N7STD25
MLK1005SR22JTD25
MLK1005S27NJTD25
MLK0603L1N2ST000
MLK1005S6N8JT000
MLK1005S6N2ST000
MLK1005S68NJT000
MLK1005S56NJTD25
MLK1005S1N6STD25
MLK1005S1N5STD25
MLK1005S2N0ST000
MLK1005S2N0STD25
MLK1005S3N9ST000

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B32922C3683K000
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