氮化铝陶瓷片

氮化铝(AlN)陶瓷基片

描述：　氮化铝具有优良的导热性（为氧化铝陶瓷的 5-10倍），较低的介电常数和介质损耗，可靠的绝缘性能，优良的力学性能，，耐高温，耐化学腐蚀，且与硅的热膨胀系数相近，广泛应用于通讯器件、 高亮度LED、电力电子器件等行业，是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料。我司可按客户要求生产各种规格尺寸形状的产品。

　　氮化铝（AlN）陶瓷基片是新一代陶瓷基片，具有很高的热导率（理论值为319W/m.K，商品化的AlN基片热导率大于140W/m.k）、较低的介电常数（8.8）和介电损耗（～4×104）、以及和硅相配比的热膨胀系数（4.4×10－4/℃）等优点，化学组成 AI 65.81%，N 34.19%，比重3.261g/cm3，白色或灰白色，单晶无色透明，常压下的升华分解温度为2450℃。

　　氮化铝陶瓷基片，热导率高，电性能好、热膨胀系数与Si片接近,强度高，耐高温，耐化学腐蚀，电阻率高，介电损耗小，性，是取代BeO陶瓷的理想材料，是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料。

　　主要应用于：高密度混合电路、微波功率器件、电力电子器件、光电子部件、半导体致冷等产品中做基片材料和封装材料，广泛应用于通讯器件、 高亮度LED、电力电子器件等行业。特点：热导率高、电性能好、热膨胀系数与Si片接近、性，是取代BeO陶瓷的理想材料。