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主要电源管理芯片有的是双列直插芯片,而有的是表面贴装式封装,其中HIP630x系列芯片是比较经典的电源管理芯片,由芯片设计公司Intersil设计。它支持两/三/四相供电,支持VRM9.0规范,电压输出范围是1.1V-1.85V,能为0.025V的间隔调整输出,开关频率高达80KHz,具有电源大、纹波小、内阻小等特点,能精密调整CPU供电电压。
电源管理的范围相对较广,包括电源转换(DC-DC、AC-DC和DC-AC)、电源分配和检测,以及结合了电源转换和电源管理的系统。相应地,电源管理芯片的分类也包括这些方面,例如线性电源芯片、电压基准芯片、开关电源芯片、LCD驱动芯片、LED驱动芯片、电压检测芯片、电池充电管理芯片、栅极驱动器、负载开关、宽带隙开关等。
现代电子系统正在向高速、高增益、高可靠性方向发展,电源上的微小干扰都对电子设备的性能有影响,这就需要在噪声、纹波等方面有优势的电源,需要对系统电源进行稳压、滤波等处理,这就需要用到线性电源。
上述不同的电源管理方式,可以通过相应的电源芯片,结合极少的外围元件,就能够实现。可见,发展电源管理芯片是提高整机性能的的手段。
如果所设计的电路要求电源有高的噪音和纹波抑制,要求占用PCB板面积小(如手机等手持电子产品),电路电源不允许使用电感器(如手机),电源需要具有瞬时校准和输出状态自检功能,要求稳压器压降及自身功耗低,线路成本低且方案简单,那么线性电源是恰当的选择。这种电源包括如下的技术:精密的电压基准,、低噪音的运放,低压降调整管,低静态电流。
在小功率供电、运放负电源、LCD/LED驱动等场合,常应用基于电容的开关电源芯片,也就是通常所说的电荷泵(Charge Pump)。基于电荷泵工作原理的芯片产品很多,比如AAT3113。这是一种由低噪声、恒定频率的电荷泵DC/DC转换器构成的白光LED驱动芯片。
元素半导体是指单一元素构成的半导体,其中对硅、硒的研究比较早。它是由相同元素组成的具有半导体特性的固体材料,容易受到微量杂质和外界条件的影响而发生变化。目前, 只有硅、锗性能好,运用的比较广,硒在电子照明和光电领域中应用。硅在半导体工业中运用的多,这主要受到二氧化硅的影响,能够在器件制作上形成掩膜,能够提高半导体器件的稳定性,利于自动化工业生产。
无机合成物主要是通过单一元素构成半导体材料,当然也有多种元素构成的半导体材料,主要的半导体性质有I族与V、VI、VII族;II族与IV、V、VI、VII族;III族与V、VI族;IV族与IV、VI族;V族与VI族;VI族与VI族的结合化合物,但受到元素的特性和制作方式的影响,不是所有的化合物都能够符合半导体材料的要求。这一半导体主要运用到高速器件中,InP制造的晶体管的速度比其他材料都高,主要运用到光电集成电路、抗核辐射器件中。 对于导电率高的材料,主要用于LED等方面。
电压输入范围,即电源芯片可承受的输入电压的范围。如果是电池供电或者稳定的直流电源供电,那么这个参数不用过多考虑。如果输入电压范围有一定的变化,那么就要慎重了,尽量选电压输入范围宽的芯片。
DC/DC是指将一个固定的直流电压变换为可变的直流电压,也称为直流斩波器。这种技术被广泛应用于无轨电车、地铁列车、电动车的无级变速和控制。
半导体技术进步是DC/DC技术变化的强大动力。
1、MOSFET的技术进步给DC/DC模块技术带来的变化,同步整流技术的进步。
2、Schottky技术的进步。
3、控制及驱动IC的进步。
a、高压直接起动
b、高压电平位移驱动取代变压器驱动
c、ZVS,ZCS驱动器贡献给同步整流佳效果
d、光耦反馈直接接口PWM IC经历了电压型=>电流型=>电压型的转换,又经历了硬开关=>软开关=>硬开关的否定之否定变化。掌握控制IC是制作DC/DC的前提和关键。
4、微控制器及DSP进入DC/DC是技术发展的必由之路。
5、磁芯技术的突破是下一代DC/DC技术进步的关键,也是难题。
DC-DC电路设计至少要考虑以下条件:
1.外部输入电源电压的范围,输出电流的大小。
2. DC-DC输出的电压,电流,系统的功率大值。
基于以上两点选择PWM IC要考虑:
1. PWM IC的大输入电压。
2.PWM开关的频率,这一点的选择关系到系统的效率。对储能电感,电容的大小的选择也有一定影响。
3.MOS管的所能够承受的大额定电流及其额定功率,如果DC-DC IC内部自带MOS,只需要考虑IC输出的额定电流。
4. MOS的开关电压Vgs大小及大承受电压。
当我们用这个电路做好Buck以后,电感量达到其Spec.的要求,却发现负载调整率过低。这种情况下,很多同学都认为芯片品质问题等等。 其实由于芯片的半导体工艺不能使内部的运放的带宽(bandwidth)做的很大。所以我们所做的要么就是屏蔽内部的运放(象我们常见的384X电路1,2pin的连接方法);要么就是外部来补偿,在R1上并一个无极性电容加速内部运放对输出电压的反应。
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