中微半导CMS020G135T3PATO-3PN1350V/20AIGBT

邱先生 | 来源:深圳市芯美力科技有限公司 发布时间:2023-02-22
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品牌 中微半导体

IGBT  CMS020G135T3PA

主要参数:


封装:TO-3PN

集电极-发射*电压VCE:   1350V

集电极电流Ic:   20A

饱和压降VCE sat:   1.9V

二极管压降VF:   1.9V

印记Marking:   CMS020G13** 


产品特性:


沟槽栅逆导型工艺技术

低饱和压降

10us 短路能力

无铅引脚符合 RoHS要求



应用领域: 


电磁炉

微波炉

软开关应用


深圳市芯美力科技有限公司
联系人 邱先生
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