"离子注入是指在高真空状态下，将所需元素电离形成等离子体，并加速到适当能量后强行打入固体表面，从而改变其成分、结构和电子态，以达到改性目的。它早出现于上世纪六十年代后期，是半导体材料的一种标准掺杂方法，也是半导体产业的关键工艺。后来在金属材料改性方面取得突破。在提高工模具硬度，增强耐腐蚀、抗疲劳等性能以及开发新材料等方面取得了丰硕的成果。与真空镀膜(如:CVDPVD)等其它表面工程技术相比较，它的工艺温度低(只有40~50℃)不存在突变界面，不会脱落。可生成任意预想的新物质成分(或结构)。 纳诺离子束是原东北大学..