PRX二极管R5020613大功率变流器安全可靠

整流二极管损坏原因：
1、防雷、过电压保护措施不力。整流装置未设置防雷、过电压保护装置，即使设置了防雷、过电压保护装置，但其工作不可靠，因雷击或过电压而损坏整流管；
2、运行条件恶劣。间接传动的发电机组，因转速之比的计算不正确或两皮带盘直径之比不符合转速之比的要求，使发电机长期处于高转速下运行，而整流管也就长期处于较高的电压下工作，促使整流管加速老化，并被过早地击穿损坏；
3、运行管理欠佳。值班运行人员工作不负责任，对外界负荷的变化(特别是在深夜零点至第二天上午6点之间)不了解，或是当外界发生了甩负荷故障，运行人员没有及时进行相应的操作处理，产生过电压而将整流管击穿损坏；
4、设备安装或制造质量不过关。由于发电机组长期处于较大的振动之中运行，使整流管也处于这一振动的外力干扰之下；同时由于发电机组转速时高时低，使整流管承受的工作电压也随之忽高忽低地变化，这样便大大地加速了整流管的老化、损坏；
5、整流管规格型号不符。更换新整流管时错将工作参数不符合要求的管子换上或者接线错误，造成整流管击穿损坏；
6、整流管安全裕量偏小。整流管的过电压、过电流安全裕量偏小，使整流管承受不起发电机励磁回路中发生的过电压或过电流暂态过程峰值的而损坏。

整流二极管代换：
整流二极管损坏后，可以用同型号的整流二极管或参数相同其它型号整流二极管代换。
通常，高耐压值（反向电压）的整流二极管可以代换低耐压值的整流二极管，而低耐压值的整流二极管不能代换高耐压值的整流二极管。整流电流值高的二极管可以代换整流电流值低的二极管，而整流电流值低的二极管则不能代换整流电流值高的二极管。

整流二极管的根本构造是 PN 结 （ P 型半导体和 N 型半导体联系后 ， 在两者的联系而构成一个很薄的空间电荷区，这就是PN结）。在 PN 结的空间电荷内 ，电子元件势能发生了变化 ，电子要从 N 区到 P 区有必要越过一个能量高坡 （ 通常称为势垒） ，因而又把空间电荷区称为势垒区 。当PN结加正向电压时，势垒降低，呈现低电阻，具有较大的正向分散电流，称该状况为正导游通状况。当PN结加反向电压时，势垒增加，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流 ，称该状况为反向阻断状况 ，此刻 PN 结处于反向偏置状况。

一）普通二极管的检测（包括检波二极管、整流二极管、阻尼二极管、开关二极管、续流二极
管）是由一个PN结构成的半导体器件，具有单向导电特性。通过用万用表检测其正、反向电阻
值，可以判别出二极管的电极，还可估测出二极管是否损坏。
1．极性的判别将万用表置于R×100档或R×1k档，两表笔分别接二极管的两个电极，测出一个
结果后，对调两表笔，再测出一个结果。两次测量的结果中，有一次测量出的阻值较大（为反
向电阻），一次测量出的阻值较小（为正向电阻）。在阻值较小的一次测量中，黑表笔接的是
二极管的正极，红表笔接的是二极管的负极。
2．单负导电性能的检测及好坏的判断通常，锗材料二极管的正向电阻值为1kΩ左右，反向电
阻值为300左右。硅材料二极管的电阻值为5 kΩ左右，反向电阻值为∞（无穷大）。正向电阻
越小越好，反向电阻越大越好。正、反向电阻值相差越悬殊，说明二极管的单向导电特性越好
。　若测得二极管的正、反向电阻值均接近0或阻值较小，则说明该二极管内部已击穿短路或
漏电损坏。若测得二极管的正、反向电阻值均为无穷大，则说明该二极管已开路损坏。
3．反向击穿电压的检测二极管反向击穿电压（耐压值）可以用晶体管直流参数测试表测量。
其方法是：测量二极管时，应将测试表的“NPN/PNP”选择键设置为NPN状态，再将被测二极管
的正极接测试表的“C”插孔内，负极插入测试表的“e”插孔，然后按下“V（BR）”键，测
试表即可指示出二极管的反向击穿电压值。　也可用兆欧表和万用表来测量二极管的反向击穿
电压、测量时被测二极管的负极与兆欧表的正极相接，将二极管的正极与兆欧表的负极相连，
同时用万用表（置于合适的直流电压档）监测二极管两端的电压。如图4-71所示，摇动兆欧表
手柄（应由慢逐渐加快），待二极管两端电压稳定而不再上升时，此电压值即是二极管的反向
击穿电压。

整流二管是一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件。通常它包含一个PN结，有正和负两个端子。二管重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二管的正流入，负流出。

整流二管具有明显的单向导电性。整流二管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二管的击穿电压高，反向漏电流小，高温性能良好。通常高压大功率整流二管都用高纯单晶硅制造(掺杂较多时容易反向击穿）。这种器件的结面积较大，能通过较大电流（可达上千安），但工作频率不高，一般在几十千赫以下。整流二管主要用于低频半波整流电路，如需达到全波整流需连成整流桥使用。