IGBT模块5SNA1200G450300

IGBT模块通常由多个单个的IGBT芯片封装而成，每个芯片都集成了一个IGBT和一个反并联二极管，这种结构允许IGBT在关断状态下承受反向电压。IGBT的三个端分别是：集电极(Collector)、发射极(Emitter)和基极(Base，实际使用中常标记为Gate)。当基极和发射极之间加上正向电压（开启电压VGE(th)）时，IGBT导通，集电极和发射极之间的电阻非常小，相当于开关闭合；反之，当基极电压低于一定值时，IGBT截止，两极间呈现高阻态。

IGBT的开关速度远传统的BJT，但又不像MOSFET那样受寄生电容的影响而降低效率，因此在高频开关应用中表现出色。同时，IGBT的饱和电压相对较低，这意味着在导通状态下，其功耗较小，发热较少，有利于提高整体系统的效率和散热性能。

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41391-454-01-S1FX

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5SNA1200G450300

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