CCT防断裂高可靠中高压贴片电容322522UFX5R16V

高压贴片电容主要用于电源滤波，电源降压，倍压，吸收浪涌保护IC, 基本工作原理就是充电放电，当然还有整流、振荡以及其它的作用等作用。应用于电源电路，实现旁路、去藕、滤波和储能，常用于模块电源、电动工具、智能家居、智能小家电、LED照明系列（灯丝灯、钨丝灯、G4/G9灯,COB射灯、球泡灯）、阻容降压电源, 汽车电子类、汽车氙气灯（HID电子安定器）、负离子发生器、节能灯和高频无极灯,电子镇流器等产品中；贴片压敏电阻MLCV产品在于计算机、通信产品、网络产品、车载设备、汽车电子、安防产品、智能产品、电源产品、医疗仪器、照明电源、工控设备、智能遥控玩具等领域. 1343046/4310 张清芬 ：98380/2528
高压贴片电容的特性：
1.利用贴片陶瓷电容器介质层的薄层化和多层叠层技术，使电容值大为扩大
2.单片结构有的机械性强度及可靠性
3.的度，在进行自动装配时有高度的准确性
4.因仅有陶瓷和金属构成，故即便在高温，低温环境下亦无渐衰的现象出现，具有较强可靠性与稳定性
5.低集散电容的特性可完成接近理论值的电路设计
6.残留诱导系数小，确保上佳的频率特性
7.因电解电容器领域也获得了电容，故使用寿命延长，更造于具有高可靠性的电源
8.由于ESR低，频率特性良好，故适合于高频，高密度类型的电源
工作温度范围: -55～125℃
额定电压: 100VDC～3000VDC
温度特性: NPO:≤±30ppm/℃,-55～125℃（EIA Class I） X7R:≤±15%,-55～125℃（EIA Class II）
容量范围: NPO:2pF to 220nF;X7R:150pF to330uF
损失角正切(tanδ): NPO:Q≥1000；X7R:D.F.≤2.5%
绝缘电阻: 10GΩ 或 500/C Ω 取两者小值
老化速率: NPO:1%;X7R:2.5% 一个decade时间
介质电耐电压： 100V ≤ V ＜500V :200%
额定电压 500V ≤ V ＜1000V :150%额定电压 1000v≤ V :120%额定电压
　　
介质耐电压：100V-1000V范围内，可承受1.5倍额定电压。1000V以上：可承受1.2倍额定电压。　　
电压越高，所能做出的容量越低，生产周期4－6周
　MLCC 制作工艺流程：
1、原材料——陶瓷粉配料关键的部分(原材料决定MLCC的性能)；
2、球磨——通过球磨机(大约经过2-3天时间球磨将瓷份配料颗粒直径达到微米级)；
3、配料——各种配料按照一定比例混合；
4、和浆——加添加剂将混合材料和成糊状；
5、流沿——将糊状浆体均匀涂在薄膜上(薄膜为特种材料，表面平整)；
6、印刷电极——将电极材料以一定规则印刷到流沿后的糊状浆体上(电极层的错位在这个工艺上，不同MLCC的尺寸由该工艺)；
7、叠层——将印刷好电极的流沿浆体块依照容值的不同叠加起来，形成电容坯体版(具体尺寸的电容值是由不同的层数确定的)；
8、层压——使多层的坯体版能够结合紧密；
9、切割——将坯体版切割成单体的坯体；
10、排胶——将粘合原材料的粘合剂用390摄氏度的高温将其排除；
11、焙烧——用1300摄氏度的高温将陶瓷粉烧结成陶瓷材料形成陶瓷颗粒(该过程持续几天时间，如果在焙烧的过程中温度控制不好就容易产生电容的脆裂)；
12、倒角——将长方体的棱角磨掉，并且将电极露出来，形成倒角陶瓷颗粒；
13、封端——将露出电极的倒角陶瓷颗粒竖立起来用铜或者银材料将断头封起来形成铜(或银)电极，并且链接粘合好电极版形成封端陶瓷颗粒(该工艺决定电容的)；
14、烧端——将封端陶瓷颗粒放到高温炉里面将铜端(或银端)电极烧结使其与电极版接触缜密；形成陶瓷电容初体；
15、镀镍——将陶瓷电容初体电极端(铜端或银端)电镀上一层薄薄的镍层，镍层一定要完全覆盖电极端铜或银，形成陶瓷电容次体(该镍层主要是屏蔽电极铜或银与外层的锡发生相互渗透，导致电容老衰)；
16、镀锡——在镀好镍后的陶瓷电容次体上镀上一层锡想成陶瓷电容成体(锡是易焊接材料，镀锡工艺决定电容的可焊性)；
17、测试——该流程必测的四个指标：耐电压、电容量、DF值损耗、漏电流Ir和绝缘电阻Ri(该工艺区分电容的耐电压值，电容的度等)
　　　
高压贴片电容特性：
1.等效串联电阻（ESR）小，阻抗（Z）低，与同等钽电容或者铝电解电容相比，ESR小几十倍，能量利用率高，发热小，价格低。 　2.品种，规格，体积小。容量从10pF到47uF，耐压从10V-6000V，体积小可以达到1X0.5mm.
　3.无极性，可以使用在存在非常高的纹波电路或交流电路，而且装配更为方便。
4.性能稳定，即使被击穿也不会燃烧，安全性高。
应用于电子精密仪器。各种小型电子设备作谐振、耦合、滤波、旁路。
　　
　　低容量电容NP0材料（10-6800pF）：适用频率1-100MHz
　　1.温度系数：0±30ppm／℃，-55℃～125℃；
　　2.电容量漂移：不超过±0.3％或±0.05pF（取较大者）。
　　3.老化特性：无
　　
　　高容量电容X7R材料（6800pF以上）：适用频率不超过10KHz
　　1.温度特性：不超过±15％，-55℃～125℃。
　　2.老化特性：每10年变化1％ΔC，表现为10年变化约5％。
　　工作温度为环境温度与元件本体温升之和。
　　降额设计
　　设计者在选用电容器工作电压时，应考虑施加在电容器两端的直流电压与交流电压峰值之和不能超过额定电压。为产品及线路的可靠性，在实际设计时建议降额使用
　　
　　使用注意事项
　　工作温度
电容器设计类别温度范围有−55℃～125℃、−55℃～85℃两种，设计者确保工作温度符合此范围。为延长电容器的使用寿命，推荐工作温度限制在低于上限类别温度10℃～15℃。设计者考虑电容器的
在回流焊接时请务必确认以下注意事项后进行使用。